纯度用RRR和纯R对金属的剩余电阻率来表示。没有统一的纯度定义标准。纯金属理论纯金属理论应为正，完全无杂质，熔点和结晶结构稳定。然而，任何金属在技术上都不能达到无杂质的纯度，因此纯金属只有相对意义，这只意味着当前技术可以达到的标准。

随着纯化程度的提高，金属纯度不断提高。比如过去高纯金的杂质含量是10-6级(百万分之几)，而超纯半导体材料是1019级(十亿分之一)，逐渐上升到10112级(一万亿分之几)。同时，各种金属的净化难度也不同。例如，半导体材料称9N以上为高纯度，而不熔金属钨等6N为超高纯度。

制备高纯金属一般分为净化(初步净化)和超纯化(净化)两个步骤。生产方法大致可分为化学净化和物理净化。为了获得高纯金，有效去除难以分离的杂质，往往需要化学净化和物理净化，即在物理净化的同时，化学净化，如硅熔化无坩埚区域可以使用氢作为保护气体，如果在氢中加入少量水蒸气、水和硅硼化学反应，可以去除物理净化不能去除硼。另一种情况是，如果用真空烧结法净化高熔点金属钽、铌等。，有时需要略多于化学测量的氧气，或者用脱氧剂脱氧一定量的碳，称为物理净化。

化学纯化是制备高纯金属的基础。主要依靠化学方法去除重金属杂质。纯金属除了通过化学方法直接获得高纯度金属外，通常先制成中间化合物(氧化物)，再通过蒸馏、蒸馏、吸附、复合、结晶、歧化、氧化还原到高纯度化合物中，再还原到金属中，如锗、四氯化锗、三氧氢硅、硅烷(SiH4)、锗和硅。化学纯化的方法有很多。