高纯金属是现代高新技术的综合产物。伴随着半导体、航天、无线电等技术的发展，对金属纯度的要求不断提高，从而极大地推动了高纯金制品的发展。由于金属纯度达不到一定的纯度，常被杂质所掩盖，因此存在微量杂质甚至超微量杂质都会影响金属的性质。若前面的灯丝是钨丝，比较脆，处理不好。然而，通过适当的提纯，这种缺点是可以克服的(钨丝也存在掺杂和加工问题)。随着金属纯度的提高，杂质对金属性质的影响也越来越明显。所以，制备高纯金属不仅为金属性能的科学研究创造了有利条件，而且能更好地服务于工业生产。

金属纯度高于杂质，而杂质通常包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理化学杂质主要指错，空位。化学物质以取代物或填料的形式存在于基质外的原子中。然而，只有当金属的纯度达到了很高的标准(如纯度高于9N)时，物理杂质的概念才有意义。因此，通常以生产过程中化学杂质的含量作为评定金属纯度的标准，用主金属百分比减去杂质含量表示，通常以N(N(9)首字母)表示，例如99.999%写6N，将99.999%写成7N。

高纯金属纯度的表达式有两大类：一类是表征材料，如“光谱纯度”和“电子纯度”；另一类是通过某些特性来表示。举例来说，半导体材料用载流子浓度来表示，即1立方厘米的基体元素中导电杂质的数量，而金属主要用RRRR和纯度来表示。

由于原材料加工工艺的改进，金属的纯度不断提高，但不能得到纯正的金属。相对地说，“高纯度”和“超纯”是技术标准。伴随着科学技术的进步，“高纯度”、“超纯化”的标准不断提高。例如，高纯金属有ppm(即百万分之一)，超纯半导体材料中的杂质是ppb(十亿分之一)，而现在逐渐变为ppb(十亿分之一)和ppt(万亿分之一)。与此同时，各种金属的纯化难度不同。例如，半导体材料，据说9N以上为高纯，而难熔金属高达6N为超高纯。